半导体元件制造工艺
被视为撤回的申请
摘要
制造半导体元件，尤其是制造大功率半导体元件的方法是使用空心钻(4)从一块晶片(1)上至少切下一块面积较小的圆形元件衬底(2)。按照一种优选的结构，所用空心钻(4)带有合适的钻头内侧(8)，这样在切下元件的同时又可切好某些反向电压较高的元件需要具有的边沿斜面。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100817A
申请号 ：
CN88100817
公开（公告）日 ：
1988-11-30
申请日 ：
1988-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉利·德劳希奥托·库恩
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登哈兹尔街16号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN88100817
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 B24B3/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1990-08-15 ：
被视为撤回的申请
1988-11-30 ：
公开
1988-10-12 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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