半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

专利权的终止

摘要

一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中：在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造簿膜晶体管的工艺。

基本信息

专利标题：

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1316769A

申请号：

CN00134482.X

公开（公告）日：

2001-10-10

申请日：

1994-02-03

授权号：

CN1201380C

授权日：

2005-05-11

发明人：

高山彻张宏勇山崎舜平竹村保彦

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

优先权：

CN00134482.X

主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L21/335 H01L21/00 H01L21/324