半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

专利权的终止

摘要

一种创新的制造半导体器件的方法，能够以较低温度和较短时间周期使非晶硅膜结晶。所述方法包括：在第一室旁在衬底上形成硅氧化物膜；在第一室中通过以氮替换第一室内侧的大气而执行对硅氧化物膜的氮等离子体处理；在执行氮等离子体处理之后在硅氧化物膜上形成非晶硅膜；以及通过在400到650℃的温度范围或不高于衬底玻璃转换温度下对非晶硅膜进行热处理而使非晶硅膜结晶，其中衬底在第一室与第二室之间的传递是在不暴露于空气中的情况下进行的。

基本信息

专利标题：

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1316767A

申请号：

CN00134483.8

公开（公告）日：

2001-10-10

申请日：

1994-02-03

授权号：

CN100416750C

授权日：

2008-09-03

发明人：

高山彻张宏勇山崎舜平竹村保彦

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

优先权：

CN00134483.8

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00