半导体器件及其制造工艺
专利权的终止
摘要
一种半导体器件包括半导体衬底、通过绝缘膜形成在半导体衬底上的多晶硅图案、形成在半导体衬底上以覆盖多晶硅图案的层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的金属互连层图案，其中金属互连层图案分别在其顶表面、底表面和侧壁表面上承载(carry)氮化硅膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1906741A
申请号 ：
CN200580001830.5
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大仁正则
申请人 ：
株式会社理光
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200580001830.5
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/768 H01L21/822 H01L21/8234 H01L23/52 H01L23/522 H01L27/04 H01L27/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2020-09-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3205
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20190928
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20190928
2015-04-22 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101713960024
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005800018305
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社理光
变更后权利人 : 理光微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本大阪
登记生效日 : 20150331
号牌文件序号 : 101713960024
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005800018305
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社理光
变更后权利人 : 理光微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本大阪
登记生效日 : 20150331
2009-10-28 ：
授权
2007-03-28 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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