半导体氧化设备和制造半导体元件的方法

专利权的终止

摘要

一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

基本信息

专利标题：

半导体氧化设备和制造半导体元件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102255242A

申请号：

CN201110110011.1

公开（公告）日：

2011-11-23

申请日：

2006-02-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

佐藤俊一轴谷直人伊藤彰浩梅本真哉禅野由明山本高稔

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王冉

优先权：

CN201110110011.1

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183