一种晶圆处理装置及半导体制造设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶圆处理装置及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中转运腔室产生的微粒流入工艺腔室内的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和隔离阀门；工艺腔室与转运腔室连接，隔离阀门设置在工艺腔室与转运腔室的连接部位，控制工艺腔室与转运腔室间的传送通道的开启和关闭；隔离阀门包括内板、过滤器、外板和驱动单元；过滤器设置在内板和外板之间；在晶圆加载或卸载前，驱动单元驱动内板和外板开启，过滤器对进入工艺腔室的气流进行过滤；在晶圆加载或卸载时，驱动单元驱动过滤器开启，工艺腔室与转运腔室之间的传送通道开启。本发明可降低晶圆缺陷、提高良率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆处理装置及半导体制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388389A
申请号 ：
CN202011127842.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔珍善周娜王佳李琳李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丛洪杰
优先权 ：
CN202011127842.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B03C3/017 B03C3/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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