气体混合装置及半导体制造设备
授权
摘要
本实用新型提出一种气体混合装置，其包含：主体、气体混合槽、第一通气槽、第二通气槽及第三通气槽；主体，包含有第一面，第一面设有第一开口及第二开口；气体混合槽，设置于主体内部；第一通气槽，设置于主体内部，第一通气槽自第一开口连通至气体混合槽；第二通气槽，设置于主体内部，其具有第一端及第二端，第一端与第二开口连接；第三通气槽，设置于主体内部，第三通气槽自气体混合槽连通至第二通气槽的第二端，俾使第一通气槽的直线延伸与第三通气槽的直线延伸形成夹角。
基本信息
专利标题 ：
气体混合装置及半导体制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021927930.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN213680878U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
许志章
申请人 ：
亦立科技有限公司
申请人地址 ：
中国台湾竹北市新竹县竹北市县政十四街46号
代理机构 ：
深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李戍
优先权 ：
CN202021927930.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50 C23C16/511 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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