气体混合装置和半导体工艺设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种气体混合装置和半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域。具体的，其是在现有的用于进行低压化学气相沉积工艺的反应腔室的一侧添加一用于混合气体的预混罐，然后，将在预混罐中经过充分混合后的混合反应气体通过2条出气管路通入到所述低压化学气相沉积工艺的反应腔室中，从而实现了在反应前先均匀充分的混合了反应气体，并将现有的用于进行低压化学气相沉积工艺是4条出气管路减少为2条，进而在改善反应气体均匀性、减轻形成在晶圆表面上的膜层的片数效应的同时，降低了用于进行低压化学气相沉积工艺的反应设备的设备成本和维护难度。
基本信息
专利标题 ：
气体混合装置和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123406397.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216639641U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
高勇强胡良斌朱红波
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN202123406397.9
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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