本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备的进气组件盖设于介质套筒的顶端，介质套筒的底端连接于工艺腔室的顶板且与工艺腔室连通；法拉第筒套设于介质套筒的外周，法拉第筒的周壁上开设有多个沿周向均布的开口结构；开口结构沿法拉第筒的轴向延伸设置，并且包括有第一开口部及第二开口部，两个第一开口部分别位于第二开口部的顶部及底部；线圈组件套设于法拉第筒的外周，线圈组件包括两个线圈结构，两个线圈结构在法拉第筒的轴向上间隔设置，并且分别与两个第一开口部对应设置。本申请实施例实现了不影响刻蚀速率及均匀性的情况下，大幅提高工艺速率以及稳定性。