半导体工艺设备
公开
摘要
本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室及抽真空装置，工艺腔室包括发生腔、加工腔、第一通道以及分流通道，发生腔用于生成等离子体，加工腔用于进行晶圆的刻蚀工艺，第一通道的两端分别与发生腔和加工腔连通，加工腔位于第一通道的旁侧，分流通道的两端分别与第一通道和抽真空装置连通；偏转装置，用于在第一通道内产生至少一个偏转场，以使发生腔内产生的至少部分等离子体中的带正电荷粒子进入至加工腔内，分流通道用于将偏转装置对等离子体偏转分离出的至少部分中性粒子导向抽真空装置；聚焦装置，设置在加工腔内，用于将进入加工腔的带正电荷粒子聚焦形成带电粒子束，以通过带电粒子束对晶圆进行刻蚀，从而实现无掩模的图形化刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597144A
申请号 ：
CN202210222987.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林源为伊藤正雄
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202210222987.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/305 H01J37/147
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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