本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，内衬组件环绕下电极组件设置，隔离部件设置于腔室本体的内周壁和内衬组件之间，使等离子体与腔室本体电绝缘；内衬组件的上内衬套设在下内衬的外周，上内衬的顶部和下内衬的底部分别与腔室本体的顶壁和底部电连接；上内衬和下内衬均具有沿周向分布且间隔设置的多个遮挡部和开口部，下内衬能够相对于上内衬旋转，以调节其中一者的遮挡部与另一者的开口部的重叠面积。本发明提供的工艺腔室及半导体工艺设备能够对等离子体的接地面积进行调节，从而能够提高对等离子体的能量、轰击晶圆的能力以及刻蚀晶圆的速率的可控性，进而能够提高等离子体刻蚀工艺的灵活性，满足低损伤的等离子体刻蚀工艺的需要。