进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备
公开
摘要
本发明提供一种进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备，该进气组件包括进气座体和气流调节组件，其中：进气座体具有出气口，用于向工艺腔室内部输送工艺气体；气流调节组件设置在出气口的一侧，且包括支撑部件和多个隔板，其中，隔板与支撑部件连接，支撑部件用于支撑隔板，多个隔板沿进气座体的长度方向间隔排布，相邻的两个隔板之间形成调节通道，隔板能够绕旋转轴线进行旋转，旋转轴线沿进气座体的高度方向延伸，以调节调节通道的出气方向；进气座体的长度方向与出气口的出气方向相互垂直。本发明的技术方案，可以解决因基座不同区域之间的气流浓度存在差异，而造成不同区域之间的外延层厚度一致性差的问题。
基本信息
专利标题 ：
进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613703A
申请号 ：
CN202210300785.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐爽任晓滨何金正孙小芹宫兆辉刘英伟邓晓军
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202210300785.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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