冷却气体管路的控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备
公开
摘要
本发明公开了一种冷却气体管路的控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备。该方法包括：在使用工艺腔室进行连续工艺过程中，保持干泵、第一阀门、第三阀门和第四阀门处于开启状态，同时主管路通入冷却气体，控制压力控制器按照设定压力进行控压，当需要对晶圆进行静电吸附时，执行以下步骤：步骤S1：控制静电卡盘对晶圆进行静电吸附；步骤S2：打开第二阀门；步骤S3：控制压力控制器按照设定压力进行控压，使部分冷却气体经第一支管路流入静电卡盘，以对晶圆进行冷却。本发明可以缩短晶圆吸附过程的时间，并降低长时间连续工艺过程中晶圆吸附发生晶圆偏移的概率。
基本信息
专利标题 ：
冷却气体管路的控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300381A
申请号 ：
CN202111387161.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯朋飞刘卓远
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111387161.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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