工艺腔室
授权
摘要
本实用新型提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，其包括腔室本体和设置在腔室本体顶部的介质筒组件，其中，介质筒组件包括主介质筒和环形衬板，主介质筒位于环形衬板背离腔室本体的一侧。其中，主介质筒包括介质筒本体和由介质筒本体的底部向外延伸出的连接部，连接部包括第一凸部和第二凸部，第一凸部的底面与环形衬板内缘处的上表面相配合，第二凸部的外周面与环形衬板的内周面相配合。本实用新型提供的工艺腔室，其中的环形衬板不容易发生形变，以能够减少吸附在环形衬板下表面的工艺副产物的脱落，从而保证半导体工艺设备的工艺效果。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123037475.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216738637U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
袁志涛
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202123037475.2
主分类号 ：
C30B33/12
IPC分类号 ：
C30B33/12 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/12
在气体气氛或等离子体内
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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