工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室组件及半导体工艺设备及其方法，该工艺腔室组件中，在上腔体和下腔体之间设置有与上腔室连通的第一进气口和第一排气口，第一排气口用于与抽气装置连通；在下腔体的底部设置有多个第二排气口；工艺腔室组件还包括匀气结构和切换结构，匀气结构位于下腔体的外部，匀气结构具有匀气室，匀气室通过第二排气口与下腔室连通，在匀气结构上开设有与匀气室连通的第三排气口，第三排气口用于与抽气装置连通；切换结构用于选择性地将第一排气口和第三排气口中的一者与抽气装置连通。本发明的技术方案，可以在不进行腔室开腔维护的情况下有效去除沉积物。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420604A
申请号 ：
CN202210049211.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵万辉邓晓军
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202210049211.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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