本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室。该工艺腔室的前法兰和后法兰分别设置在炉管的炉口和炉尾处；支撑机构设置于炉管内，支撑机构包括有两个支撑杆，支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟；两个第一电极机构分别套设于两个支撑杆的第一端，并且两个第一电极结构的极性相反，用于在第一晶舟装载于支撑杆上时，承载第一晶舟前端，并且分别与第一晶舟前端的两侧电连接，以将电极引入至第一晶舟；第二电极机构设置于炉管的炉尾处，用于在第二晶舟装载于支撑杆上时，将电极引入至第二晶舟。本申请实施例实现了避免第一电极结构随悬臂桨及炉门运动，从而不仅使得第一电极机构结构简单，而且还能大幅减小空间占用。