本发明提供一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法，其中，半导体工艺设备包括第一控制单元和第二控制单元，第二控制单元所执行的腔室压力控制方法包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据充气信号控制充气单元开始充气；在确定腔室压力达到预设压力值时，控制充气单元停止充气，其中，预设压力值小于目标压力值；若接收到第一控制单元发送的计时信号，则控制充气单元再次开始充气，并开始计时；在接收到第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制充气单元停止充气。第一控制单元和第二控制单元联合实现双点位控制，防止第一控制单元异常导致无法停止充气的问题。