一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备
公开
摘要
一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备，包括依次连接于反应腔室的排气口的第一冷凝组件、横向连接块、第一排气管、自动控压阀、第二排气管以及设于横向连接块的下方，且与第一排气管连通的水盒，自动控压阀与横向连接块还设有压力检测管，还包括温控组件和排水管，其中：温控组件用于将第一排气管和第二排气管维持在预设温度范围内，以使进出自动控压阀的尾气温度稳定；第二排气管通过排水管与水盒连接，且用于与厂务排气管连接。本发明实施例，通过温控组件使进出自动控压阀的尾气温度稳定，从而避免自动控压阀的上游和下游的温度变化导致自动控压阀内部的尾气的体积发生变化，影响控压效果。
基本信息
专利标题 ：
一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300386A
申请号 ：
CN202111553963.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石磊陈振伟王立卡
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111553963.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G05D16/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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