缓冲腔室
授权
摘要
本实用新型提供一种缓冲腔室，包括腔体、加热装置和导流装置，其中，在腔体上设置有排气口，导流装置设置在腔体上，并在导流装置中设置有与腔体内部连通的导流通道，且导流通道与腔体内部连通，用于向腔体内部导流气体；加热装置与导流通道对应设置，用于对将要进入腔体内的气体进行加热。本实用新型提供的缓冲腔室能够提高腔体内流场环境的稳定性，提高缓冲腔室排放效率以及排放效果，并能够提高缓冲腔室的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
缓冲腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921044421.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN209896033U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
段辰玥
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201921044421.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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