半导体处理腔室
实质审查的生效
摘要
示例性半导体处理系统可包含被配置为支撑半导体基板的基座。基座可以作为第一等离子体产生电极操作。系统可包含限定径向容积的盖板。系统可包含用盖板支撑的面板。面板可以作为第二等离子体产生电极操作。等离子体处理区域可以在由面板限定的径向容积内被限定在基座与面板之间。面板可限定多个第一孔。系统可包含定位在面板与基座之间的喷头。喷头可限定多个第二孔，所述多个第二孔包含比多个第一孔更多数量的孔。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503246A
申请号 ：
CN202080070212.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·托兰K·D·沙茨L·卡琳塔D·卢博米尔斯基
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN202080070212.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200904
申请日 : 20200904
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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