半导体处理腔室
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摘要
描述了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置具有：具有壁的主体，所述壁定义所述主体内的两个处理腔室；穿过所述壁的通路，在所述两个处理腔室之间形成流体耦合；盖，可移除地耦合至所述主体，所述盖具有与所述通路流体连通的门户；气体活化器，在所述处理腔室外面耦合至所述盖，所述气体活化器具有与所述盖的所述门户流体连通的出口；基板支撑件，设置在各处理腔室中，各基板支撑件具有至少两个加热区，各加热区具有嵌入式加热构件；气体分布器，面向各基板支撑件地耦合至所述盖；及热控制构件，在各气体分布器的边缘处耦合至所述盖。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109075108A
申请号 ：
CN201780025151.4
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2017-03-15
授权号 ：
CN109075108B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
阿伦·缪尔·亨特梅兰·贝德亚特尼拉杰·默钱特道格拉斯·R·麦卡利斯特姚东明龙·刚·塞缪尔·陈劳拉·哈夫雷查克
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201780025151.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/54 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170315
申请日 : 20170315
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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