工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备
授权
摘要
本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110544645A
申请号 ：
CN201810522206.9
公开（公告）日 ：
2019-12-06
申请日 ：
2018-05-28
授权号 ：
CN110544645B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
武学伟王军董博宇王厚工丁培军郭冰亮耿玉洁马怀超王庆轩李丽徐宝岗张鹤南刘绍辉王桐崔亚欣
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810522206.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/30 C23C16/455 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180528
申请日 : 20180528
2019-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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