工艺腔室及半导体设备

授权

摘要

本实用新型提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室，应用于半导体设备，包括腔室主体以及设置于腔室主体内的载台结构，载台结构设置于腔室主体的中部；载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；第一悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁连接；第二悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁抵顶；第一悬臂与第二悬臂结构相同、规格相同、且位置相对于载台主体对称设置。应用本实用新型，工艺气体可以从晶圆的周侧均匀向下流动，使气流更加均匀稳定，使得进行工艺处理后的晶圆均匀性更好，从而提高了晶圆的表面质量；还可以有效改善腔室下方抽气的空压能力，缩短工艺时间，增加机台的工作效率等。

基本信息

专利标题：

工艺腔室及半导体设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922387055.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-26

授权号：

CN211045372U

授权日：

2020-07-17

发明人：

马恩泽

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201922387055.3

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32 H01L21/67