工艺腔室及半导体加工设备
授权
摘要
本实用新型提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，腔室盖设置在腔室本体的顶部，并在腔室盖上设置有供等离子体进入腔室本体内部的进入开口；绝缘筒设置在腔室盖上，与腔室盖上表面连接，且绝缘筒的内部与进入开口连通；基座设置在腔室本体的内部，并位于进入开口的下方，且进入开口的正投影至少完全覆盖整个基座的正投影。本实用新型提供的工艺腔室及半导体加工设备，能够减少掉落至基座上的加工副产物，从而提高基座吸附衬底的稳定性，减少清理频率，节约人力，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921102089.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN210223960U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
王乐柳朋亮
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201921102089.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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