工艺腔室及半导体加工设备
授权
摘要
本实用新型提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔体、基座和隔热密封组件，其中，基座设置在腔体中，基座包括加热盘和用于支撑加热盘的柱状环体，柱状环体的一端与加热盘的底壁连接，另一端贯穿腔体的底壁，并延伸至腔体的外部；隔热密封组件环绕套设在柱状环体的外侧，且隔热密封组件的一端与柱状环体远离加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。本实用新型提供的工艺腔室及半导体加工设备能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921140460.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-19
授权号 ：
CN210805705U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
鲁艳成
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201921140460.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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