半导体工艺腔室及半导体工艺设备
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、供气组件以及设置在腔体中的基座和导气板，导气板间隔设置在基座与腔体的顶壁之间，导气板、腔体的侧壁和顶壁围设成一空腔，导气板上形成有多个沿厚度方向贯穿导气板的导气孔，半导体工艺腔室还包括供气组件，供气组件用于向空腔内提供吹扫气体，以在导气板朝向基座一侧形成气流层。在本实用新型中，供气组件能够向导气板与腔体的顶壁之间提供吹扫气体，使吹扫气体在充满导气板与顶壁之间的间隙后通过导气孔向下逸出，进而在导气板底部形成气垫保护层，阻止反应气体向顶壁及导气板扩散并生长出反应产物，保持顶壁的洁净度，进而降低晶圆表面的颗粒数量。本实用新型还提供一种半导体工艺设备。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺腔室及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122509452.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
CN216624211U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
高雄孙伟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202122509452.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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