半导体工艺腔室
授权
摘要
本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体以及设置在所述腔体内部的基座、压环和内衬及隔热环，其中：所述内衬环绕设置在所述腔体内侧，且所述内衬的下端部设置有支撑部，下端部用于在所述压环脱离所述基座时支撑所述压环；所述隔热环固定在所述内衬上，且所述隔热环始终位于所述压环的上方。应用本发明，可以有效降低压环的升温速度及工艺后压环的温度，可以避免压环温度过高，进而避免通过压环将热量传递给晶片，导致晶片边缘温度过高的现象发生。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111503430A
申请号 ：
CN202010322766.7
公开（公告）日 ：
2020-08-07
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN111503430B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
纪克红李冬冬
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202010322766.7
主分类号 ：
F16L59/02
IPC分类号 ：
F16L59/02 C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F16
工程元件或部件；为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施；一般绝热
F16L
管子；管接头或管件；管子、电缆或护管的支撑；一般的绝热方法
F16L
管子；管接头或管件；管子、电缆或护管的支撑；一般的绝热方法
F16L59/00
一般的绝热
F16L59/02
绝热材料的形状或形式，有或没有和绝热材料成一体的覆盖
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : F16L 59/02
申请日 : 20200422
申请日 : 20200422
2020-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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