半导体工艺腔室和半导体工艺设备
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、加热器、支撑装置、控制装置、电源和可控硅元件，加热器和支撑装置设置在腔体中，支撑装置用于承载基板，加热器用于对承载于支撑装置上的基板进行加热；电源用于通过可控硅元件向加热器提供随时间变化的电源信号功率，控制装置用于在支撑装置上承载有基板后，控制可控硅元件向加热器提供随着时间变化的电源信号，以使加热器按预设曲线输出逐渐减小的加热功率。在本实用新型中，控制装置能够控制可控硅元件调节加热功率，使其按预设曲线逐渐减小，从而使基板的升温速率随时间增大逐渐减小，在保证基板升温效率的同时，提高了基板在升温工艺结束时温度的可控性。本实用新型还提供一种半导体工艺设备。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺腔室和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122905763.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216738518U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王福金蔡志辉
申请人 ：
北京七星华创集成电路装备有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区天竺综合保税区竺园三街6号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202122905763.9
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/54 C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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