工艺腔室和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种工艺腔室和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该工艺腔室包括内层腔室壁和外层腔室壁，内层腔室壁围成一反应腔，外层腔室壁套设于内层腔室壁的外侧，且外层腔室壁与内层腔室壁之间设置有隔热腔，隔热腔沿内层腔室壁的外周方向围绕于内层腔室壁的外侧；外层腔室壁的外侧壁或内侧壁设置有反射层。该半导体工艺设备包括本发明所述的工艺腔室。该方案能解决工艺腔室的外表面的金层容易脱落的问题。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540947A
申请号 ：
CN202210175638.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王磊磊
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
高东
优先权 ：
CN202210175638.3
主分类号 ：
C30B25/08
IPC分类号 ：
C30B25/08 C30B25/10 C30B29/06 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室；其所用材料的选择
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/08
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
