本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备的工艺腔室内设置有承载晶圆的承载装置；进气组件设置于介质套筒的顶端；介质套筒的底端连接于工艺腔室的顶板且与工艺腔室连通，进气组件和工艺腔室的顶板均接地设置；法拉第筒套设于介质套筒的外周，并且法拉第筒的周壁上开设有多个沿周向均布的开口结构；线圈结构套设于法拉第筒的外周，并且与驱动结构相连，驱动结构驱动线圈结构沿法拉第筒的轴向移动，以使线圈结构在第一位置及第二位置之间移动，并且第一位置位于介质套筒的中部，第二位置靠近工艺腔室的顶板。本申请实施例不仅能提高点火速率，而且还能大幅提高刻蚀速率，从而大幅提高本申请实施例的工艺速率及良率。