工艺腔室及半导体工艺设备
公开
摘要
本发明公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，该工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内部的基座和设置于基座上的聚焦环，还包括：多个聚焦环补充结构，多个聚焦环补充结构沿周向环绕设置于聚焦环上方，聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；水平驱动机构，水平驱动机构设置于腔室本体的侧壁且与聚焦环补充结构连接，水平驱动机构用于驱动多个聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各聚焦环补充结构相对于聚焦环在竖直方向上的重叠面积。实现解决大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300334A
申请号 ：
CN202111389458.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林源为董子晗
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111389458.7
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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