半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318306A
申请号 ：
CN202111553675.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩轲钱心嘉孙琼
申请人 ：
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁俊萍
优先权 ：
CN202111553675.5
主分类号 ：
C23C16/505
IPC分类号 ：
C23C16/505 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/505
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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