工艺腔室和半导体处理设备

授权

摘要

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体、支架、支撑件、介质窗和至少一个密封件；支架夹设在腔室本体和介质窗之间，支撑件夹设在介质窗和支架之间；其中，介质窗与支架的靠近腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容支撑件；并且，在支撑件与介质窗之间和/或支撑件与支架之间设置有密封件。在介质窗与支架的靠近腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容支撑件。并且，在支撑件与介质窗、支架相接触的部分设置有密封件。这样，在进行工艺时，可以延长等离子体扩散至密封件的扩散路径，避免等离子体刻蚀密封件出现的颗粒污染现象，提高腔室本体的洁净度，以提高晶圆的加工良率。

基本信息

专利标题：

工艺腔室和半导体处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110706994A

申请号：

CN201810750345.7

公开（公告）日：

2020-01-17

申请日：

2018-07-10

授权号：

CN110706994B

授权日：

2022-04-22

发明人：

郭士选王松涛

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201810750345.7

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32