半导体晶片处理腔室及半导体处理设备
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体晶片处理腔室及半导体处理设备，该半导体晶片处理腔室包括腔体、设置在该腔体内可沿竖直方向移动的片盒和设置在腔体内的加热组件，还包括温度检测组件，该温度检测组件包括测温元件和温度检测板，该温度检测板设置在腔体内，且与腔体固定连接，测温元件的检测部与所述温度检测板连接，用以通过温度检测板检测腔体的内部温度。本实用新型提供的半导体晶片处理腔室，其可以解决现有的测温元件的导线连接安全问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片处理腔室及半导体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920466980.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN208848871U
授权日 ：
2019-05-10
发明人 ：
贾强
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201920466980.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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