半导体热处理设备的反应腔室及半导体热处理设备
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体热处理设备的反应腔室及半导体热处理设备，该反应腔室包括腔室外壁、歧管腔室、法兰压环，腔室外壁通过法兰压环与歧管腔室的上法兰固定连接，腔室外壁与上法兰之间还设有密封圈，法兰压环内设有第一冷却槽，用于冷却密封圈；上法兰内设有第二冷却槽，用于冷却密封圈。通过在第一冷却槽和第二冷却槽内循环通入冷却液介质，从而降低反应腔室外管与歧管上法兰之间的密封圈的表面温度，提高密封圈的使用寿命，保证反应腔室的密封效果。
基本信息
专利标题 ：
半导体热处理设备的反应腔室及半导体热处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922364823.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211320054U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
杨慧萍杨帅
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN201922364823.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 F16J15/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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