反应腔室及半导体加工设备
授权
摘要
本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔室侧壁和腔室底壁，还包括热交换元件和用于提供能量的热交换源，其中，热交换元件包括均匀分布在腔室侧壁中的第一部分，和均匀分布在腔室底壁中的第二部分。本发明提供的反应腔室，其可以避免使用多个加热器很难保证温度一致性的问题，而且还可以保证腔室温度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
反应腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110400763A
申请号 ：
CN201810379027.4
公开（公告）日 ：
2019-11-01
申请日 ：
2018-04-25
授权号 ：
CN110400763B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
程旭文姜宏伟杨雄
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810379027.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L33/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180425
申请日 : 20180425
2019-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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