射频线圈、反应腔室及半导体加工设备
授权
摘要
本发明提供一种射频线圈、反应腔室及半导体加工设备，该射频线圈包括具有空腔的线圈本体，线圈本体的一端为与射频电源电连接的射频连接端，另一端为接地端；并且，在空腔中设置有加热元件，加热元件与线圈本体的内壁之间电绝缘，并且在线圈本体上设置有加热接口，用于引出加热元件的接线。本发明提供的射频线圈、反应腔室及半导体加工设备的技术方案，既实现射频线圈的功能，又实现对介质窗的加热，从而可以减少副产物在介质窗上的沉积，减少掉落到晶片表面的颗粒数量。
基本信息
专利标题 ：
射频线圈、反应腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110491761A
申请号 ：
CN201910783531.5
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN110491761B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
牛晨
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201910783531.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20190823
申请日 : 20190823
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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