腔室及半导体加工设备
授权
摘要
本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
基本信息
专利标题 ：
腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110468377A
申请号 ：
CN201810450381.1
公开（公告）日 ：
2019-11-19
申请日 ：
2018-05-11
授权号 ：
CN110468377B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘建强耿宏伟李强白志民张兴
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司;北京大学软件与微电子学院
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810450381.1
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/54 C23C14/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-12-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/22
申请日 : 20180511
申请日 : 20180511
2019-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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