内衬结构、反应腔室和半导体加工设备
授权
摘要
本实用新型提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备，该内衬结构包括：内衬主体，包括构成阶梯结构的上环部和下环部，且下环部的外径小于上环部的内径；并且，在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口，该内衬开口延伸至上环部的下端；内门，设置在上环部的下方，且内门的内径与上环部的内径相同，并且内门是可升降的，以能够开启或关闭内衬开口。本实用新型所提供的内衬结构、反应腔室和半导体加工设备的技术方案，不仅可以避免内门与内衬发生刮擦，而且可以保证腔体内壁和内衬内壁的完整性，从而可以提高气流场的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
内衬结构、反应腔室和半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921449713.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN210223967U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
茅兴飞王伟楼丰瑞石锗元廉串海吕增富
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201921449713.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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