进气装置、反应腔室以及半导体加工设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种进气装置，用于半导体加工设备中向反应腔输送工艺气体，进气装置包括：腔体和多个第一输气管路，每个第一输气管路上均设置有第二输气管路，其中：每个所述第一输气管路均设置有第一进气口、第二进气口和第一出气口，第一出气口均与至少一个进气腔的进气口连通，第一进气口与第二输气管路的出气口连通，第二进气口与提供源气体的第一气体源连通，第二输气管路的进气口与提供掺杂气体的第二气体源连通；第二输气管路上设置有流量控制模块，流量控制模块用于控制第二输气管路所输送的掺杂气体的流量。本实用新型还提供了一种反应腔室和半导体加工设备。本实用新型可以使反应腔中基片表面成膜的电阻率一致。
基本信息
专利标题 ：
进气装置、反应腔室以及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922221785.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN211311577U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
袁福顺李晓军
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201922221785.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C30B25/14 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211311577U.PDF
PDF下载
