反应腔室
授权
摘要
本发明提供的反应腔室，包括：腔体，在所述腔体中设置有通孔；进气管，通过所述通孔延伸至所述腔体内；第一限位结构，设置在所述腔体的内侧；第二限位结构，设置在所述进气管上，且与所述第一限位结构相配合，以限制所述进气管的轴向旋转和径向平移；第三限位结构，与所述腔体连接，且与所述第二限位结构相配合，以限制所述进气管的径向旋转和轴向平移。本发明提供的反应腔室，其可以使进气管的固定稳定，从而可以提高反应气体在反应腔室内分布的均匀性，且不易破坏进气管。
基本信息
专利标题 ：
反应腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110556309A
申请号 ：
CN201810563223.7
公开（公告）日 ：
2019-12-10
申请日 ：
2018-06-04
授权号 ：
CN110556309B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
杨帅董金卫杨慧萍
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810563223.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-01-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180604
申请日 : 20180604
2019-12-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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