反应腔室及半导体设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种反应腔室，包括：下进气口和上进气口，下进气口和上进气口由下至上依次设置在反应腔室的一侧，下进气口和上进气口分别用于向反应腔室内部输送工艺气体和向反应腔室的上圆顶内表面上输送冷却气体；该进气口结构通过下进气口和上进气口分别向反应腔室内输送工艺气体和冷却气体，在保证外延工艺正常进行的同时对上圆顶进行降温，并抑制工艺气体向上扩散，进而抑制上圆顶膜沉积。
基本信息
专利标题 ：
反应腔室及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123083851.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216749815U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
梁永军
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202123083851.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/455 C23C16/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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