匀流装置、反应腔室和半导体加工设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种匀流装置，涉及半导体制备技术领域，该装置包括：匀流板，所述匀流板上设置有多个通气孔；所述多个通气孔中的一部分通气孔中设置有封堵件，所述封堵件可拆卸地设置在所述通气孔中。本实用新型还提供了一种反应腔室和半导体加工设备。采用本实用新型的匀流装置，其可以防止封堵件在工艺进行时从通气孔中脱落，从而避免因此影响工艺结果。
基本信息
专利标题 ：
匀流装置、反应腔室和半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921687561.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-10
授权号 ：
CN211036098U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
王春郑波马振国
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201921687561.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 H01L21/67
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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