半导体加工腔室及设备

授权

摘要

本实用新型提供一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，还包括：压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压力；第二压力控制器，设置在所述第一腔室的排气侧，用于根据所述压力差值降低所述第一腔室的压力。应用本实用新型可以实现对两个腔室之间压力差的精确控制，减少将工件从第一腔室转移至第二腔室过程中由于两个腔室之间的压差引起的气流扰动，避免在第一腔室进行工艺反应的工艺副产物颗粒附着在晶圆表面，从而可以减少晶圆表面的颗粒数量、提高晶圆表面质量。

基本信息

专利标题：

半导体加工腔室及设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921971407.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-14

授权号：

CN210805697U

授权日：

2020-06-19

发明人：

慕晓航钟结实王凯

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201921971407.3

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32 H01L21/67