上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备

授权

摘要

本申请实施例提供了一种上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备。该上电极结构，用于向刻蚀腔室内施加射频功率，其包括：线圈、电极及射频电源组件；所述线圈设置于所述刻蚀腔室内且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方；所述电极设置于所述刻蚀腔室内，且位于所述介质窗的上方，所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧；所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接，用于向所述线圈和/或所述电极施加射频功率，以进行刻蚀或对所述刻蚀腔室进行清洗。本申请实施例使得线圈在清洗时可以作为电极的一部分，可以有效提高清洗效率，并且可以有效提高对刻蚀腔室及介质窗清洗的均匀性。

基本信息

专利标题：

上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110459456A

申请号：

CN201910758601.1

公开（公告）日：

2019-11-15

申请日：

2019-08-16

授权号：

CN110459456B

授权日：

2022-05-27

发明人：

刘春明李兴存

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201910758601.1

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32