本发明涉及半导体刻蚀设备的清洗方法。本发明提出一种半导体刻蚀设备的腔室清洗方法，采用测量反应腔室内的气压值的方法，控制反应腔室附近的阀门的开关，尽量保持分子泵有一定的气压，从而减少了隔离分子泵的时间。本发明的优点和积极效果在于：由于使用探测腔室内压力方式，直接控制清洗过程中各个步骤的进程，从而减少了隔离分子泵的时间，减少了对分子泵的损害，延长了分子泵的使用寿命。