载入载出腔及刻蚀设备系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种载入载出腔及刻蚀设备系统，载入载出腔包括腔本体、承载结构及管路结构；腔本体设有进气口和出气口；承载结构位于腔本体的内部，承载结构可形成沿竖向间隔布置的至少一层放置层，放置层用于承载晶圆；管路结构包括进气管段、分气管段和至少一个出气管段；进气管段的一端位于进气口的范围之内；进气管段的另一端与分气管段连通，分气管段与出气管段连通；放置层的范围之内设置至少一个出气管段。如上配置，通过增加管路结构，可以使得每层放置层均设有至少一个出气管段，从而使得每层放置层上的晶圆可被出气管段出来的氮气对准吹扫，进而提高晶圆上残留气体的排出效率，降低晶圆缺陷率。
基本信息
专利标题 ：
载入载出腔及刻蚀设备系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496855A
申请号 ：
CN202210101345.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓必文
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟玉敏
优先权 ：
CN202210101345.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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