本实用新型提供一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，包括刻蚀腔室，设置在刻蚀腔室内的基础刻蚀线圈，以及与基础刻蚀线圈连接的射频电源；还包括：设置在刻蚀腔室内并与射频电源连接的若干个辅助刻蚀线圈，每个辅助刻蚀线圈的尺寸小于基础刻蚀线圈；每个辅助刻蚀线圈用于使对应区域中的离子浓度发生变化，以调整对应区域下方晶圆的刻蚀速率。还提供一种半导体产品制造系统。基础刻蚀线圈和辅助刻蚀线圈叠加作用，使得对应区域中的离子浓度增大，提高下方晶圆的刻蚀速率，实现了分区域进行刻蚀速率调整的目的，避免出现刻蚀不干净或刻蚀过度的现象，也规避了因微负载效应带来的缺陷，提高了刻蚀均匀性。