半导体刻蚀设备的上部电极

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其孔径增大和或与相邻通气孔间距减小。本实用新型通过改变通气孔的结构和位置，使工艺气体进入工艺腔更加均匀，形成等密度均匀的等离子体，达到改善刻蚀均一性，使上部电极消耗量均匀，延长使用寿命的目的。

基本信息

专利标题：

半导体刻蚀设备的上部电极

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820060507.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-15

授权号：

CN201215800Y

授权日：

2009-04-01

发明人：

刘东升

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

200000上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

刘昌荣

优先权：

CN200820060507.6

主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/3065 H01L21/00 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/24

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

H01L21/3065

等离子腐蚀；活性离子腐蚀

法律状态

2016-06-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101663507905
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2008200605076
申请日 : 20080415
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20150415

2014-02-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690314891
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2008200605076
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200000 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110

2009-04-01 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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