本实用新型涉及一种排气回路、半导体设备和硅深孔刻蚀设备；所述半导体设备或硅深孔刻蚀设备均包括腔室以及排气回路；所述排气回路包括真空泵、前级管路、后级管路和送气管路；前级管路分别连接腔室和真空泵的进口；后级管路分别连接真空泵的出口和废气处理装置；送气管路的排气孔与后级管路的进气孔密封连接，送气管路用于向后级管路输送压缩空气，且进气孔的进气方向与真空泵向后级管路排气方向一致。在执行半导体工艺时，利用送气管路中的压缩空气定向推动后级管路中的制程反应生成物快速通过后级管路，避免反应生成物粘附于真空泵和管路上。这样做，可有效减少反应物在真空泵和管路中的累积，避免真空泵卡死，提高生产效率，降低生产成本。